Forschungsschwerpunkt
Berücksichtigung und Vermeidung von Elektromigration beim Layoutentwurf

Elektromigration (EM) ist wegen sinkender Strukturgrößen zunehmend eine Gefahr für die Zuverlässigkeit integrierter Schaltkreise. Durch hohen Stromdichten kommt es zu einer Bewegung der Metallatome, wobei so entstehende Leerstellen zum Ausfall der Leiterbahn führen können. Etablierte Verifikationsmethoden prüfen das Layout nach seiner Erstellung auf die Einhaltung einer maximal zulässigen Stromdichte und damit auf Elektromigrationsrobustheit. Dieses Vorgehen stößt jedoch zunehmend an seine Grenzen. Ursache dafür sind einmal die zugrundeliegenden Modelle, welche die physikalischen Zusammenhänge nur unzureichend darstellen und somit hohe Sicherheitsfaktoren nötig machen. Auch steigt durch die zunehmende Anzahl EM-gefährdeter Netze der Korrekturaufwand im Anschluss an die Verifikation auf ein nicht mehr handhabbares Maß.

Um auch in zukünftigen Technologien den migrationsrobusten Schaltkreis-Entwurf zu gewährleisten, entsteht am IFTE ein proaktiver Verdrahtungsansatz, welcher die Migrationsrobustheit bereits während der Layouterstellung berücksichtigt und auf verbesserten physikalischen Modellen beruht.

Erster proaktiv EM-robuster Verdrahter:
Weitere Forschungsthemen:
Theoretische Untersuchungen zur Entwicklung von Stromdichten (Quelle: ITRS Roadmap)
Simulation der Stromdichteverteilung
Experimentelle Verifikation von Elektromigrationserscheinungen
Fachbuch zum EM-robusten Schaltkreisentwurf:

Fundamentals of Electromigration-Aware Integrated Circuit Design
Jens Lienig, Matthias Thiele
Springer International Publishing

ISBN 978-3-319-73557-3
eBook ISBN 978-3-319-73558-0
DOI 10.1007/978-3-319-73558-0
Buchseite

Dissertationen zur Elektromigration:
Weitere Veröffentlichungen (Auswahl):
Ansprechpersonen:

Dipl.-Ing. Susann Rothe
Dr.-Ing. Matthias Thiele
Prof. Dr.-Ing. habil. Jens Lienig

  Letzte Änderung: 05.04.2023