AAT (Actual Arrival Time) | Tatsächliche
Ankunftszeit |
AC (Alternating Current) | Wechselstrom |
ASIC (Application Specific Integrated Circuit) | anwenderspezifischer integrierter Schaltkreis |
| |
BFS (Breadth-first Search) | Suche erfolgt in der
Breite, d.h. alle Elemente werden in der gleichen Tiefe indiziert |
BICMOS (Bipolar CMOS) | CMOS mit Bipolartransistoren bestückt |
Buffer | Verstärker zur Erhöhung der Treiberleistung (2 Inverter in Reihe) |
| |
CLK (Clock) | Takt |
CAD (Computer Aided Design) | Rechnerunterstützter Entwurf |
CIF (Caltech Intermediate Format) | Binäres Fileformat für Layoutinformationen |
Constraint | Vorgabe, Randbedingung beim Entwurf |
CVD (Chemical Vapor Deposition) | Chemische Dampfabscheidung bei IC-Herstellung |
| |
DC (Direct Current) | Gleichstrom |
DEF (Design Exchange Format) | Netzliste und Platzierung von Zellen |
Delay | Verzögerung |
DFS (Depth-first Search) | Suche erfolgt in die Tiefe,
d.h. es werden Elemente mit wachsender Tiefe indiziert |
DIL (Dual In-Line) | Doppelreihengehäuse für IC |
DIP (Dual In-line Plastic) | Doppelreihen-Plastik für IC |
DRC (Design Rule Check) | Prüfung der geometrischen Strukturen |
DSPF (Detailed Standard Parasitics Format) | Fileformat für R- und C-Werte im SPICE-Format |
DUT (device under test) | Prüfling |
| |
EDA (Electronic Design Automation) | automatisierter elektronischer Entwurf |
EDIF (Electronic Design Interchange Format) | Netzlistenformat |
EMC (electromagnetic compatibility) | elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) |
EME (electromagnetic emission) | elektromagnetische Emission/Störaussendung |
EMI (electromagnetic interference) | elektromagnetische Störung |
EMS (electromagnetic susceptibility) | elektromagnetische Sensibilität/Störfestigkeit |
ESD (electrostatic discharge) | elektrostatische Entladung (Vermeidung von Chip-Beschädigung) |
EUV (extreme ultraviolet lithography) | Lithographiemethode unterhalb Lichtwellenlänge |
Extrinsic Delay | Leitungsverzögerung (Point-to-point delay) |
| |
Fan-in | Maximale Anzahl logischer Bausteine, die anderen Baustein treiben |
Fan-out | Maximale Anzahl logischer Bausteine, die getrieben werden können |
FEM (Finite Element Method) | Näherungslösungsmethode basierend auf endlicher Elementeanzahl |
Firm-IPs | Urheberrecht-geschütztes Modul auf Netzlistenebene mit Platzierung |
Flipflop | Speicherelement, Eingangssignal bei Taktflanke an Ausgang |
FPGA (Field Programmable Gate Array) | vom Nutzer programmierbare Gatter-Matrix |
| |
GDSII | Binäres Fileformat für Layoutinformationen |
| |
Hard-IPs | Urheberrecht-geschützte Maskendaten |
HDL (Hardware Description Language) | Hardware-Beschreibungssprache |
| |
IDS (Drain source current) | Stromfähigkeit (eines Transistors) |
IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) | Int. Fachverband für Elektroingenieure |
Intrinsic Delay | Zellverzögerung (Pin to pin delay) |
IPs (Intellectual Property Devices) | Urheberrechtlich geschützte Entwurfskomponenten |
| |
JFET (Junction Field-Effect Transistor) | Sperrschicht-Feldeffekt-Transistor |
| |
Latch | Speicherelement, Eingangssignal bei Taktpegel an Ausgang |
LEF (Library Exchange Format) | Definierung von IC-Prozess u. log. Zellbibliothek |
LPE (Layout Parameter Extraction) | Ermittlung von R, C der Leitung u. BE-Parameter |
LVS (Layout Versus Schematic) | Vergleich zwischen Layout und Schaltplan |
| |
MCM (Multi Chip Module) | Hybridbaustein mit Nacktchips |
MIPS (Million Instructions per Second) | Rechengeschwindigkeit in Mill. Operationen/sec. |
MOS (Metal Oxide Semiconductor) | Metalloxid-Halbleiter |
|
OASIS (Open Artwork System Interchange
Standard) | Binäres Fileformat für Layoutinformationen |
OPC (Optical Proximity Correction) | Layoutanpassung zur Verzerrungskorrektur bei Strukturen < Lichtwellenlänge |
OTC (Over the Cell) | Lagen oberhalb von Zellen |
| |
Pad | Chipanschluss |
PCB (Printed Circuit Board) | Leiterplatte |
PDEF (Physical Design Exchange Format) | File für Plazierungs- und Cluster-Informationen |
PSM (Phase Shifting Masks) | Masken mit Gebieten zur Phasen-Umkehrung bei Strukturen < Lichtwellenlänge |
| |
RAM (Random Access Memory) | Schreib- und Lesespeicher |
Register | 1-Bit-Speicherelement (Flipflop oder Latch) |
RET (Resolution Enhancement Technique) | Methoden zur Auflösungsverbesserung bei Strukturen < Lichtwellenlänge |
ROM (Read Only Memory) | Nur-Lese-Speicher |
RSPF (Reduced Standard Parsitics Format) | C-Werte u. Verzögerungszeiten im SPICE-Format |
RTL (Register Transfer Level) | Register-Transfer-Darstellung (Clock, Function, Events, ohne Timing) |
| |
SDF (Standard Delay Format) | Fileformat für Verzögerungszeiten |
SIA (Semiconductor Industry Association) | amerikanischer Halbleiter-Industrieverband |
Skew | Zeitdifferenz zwischen verschiedenen Events die simultan sein sollten |
Slew rate | Anstiegsgeschwindigkeit (z.B. Volt pro ns) |
SMD (Surface Mounted Device) | oberflächenmontiertes Bauelement |
SMT (Surface Mounting Technology) | Oberflächenmontagetechnik |
Soft-IPs | Urheberrecht-geschütztes Modul auf VHDL/Verilog-Ebene |
SPEF (Standard Parasitics Exchange Format) | DSPF und RSPF kombiniert |
SPF (Standard Parasitics Format) | Fileformat für C-Werte und Verzögerungszeiten |
SPICE (Simulation Program with IC Emphasis) | Simulationsprogramm für ICs |
Synthesis | Überführung abstraktes 'high level' Modell zu detaillierterem 'low level' Modell |
| |
TAP (Test Access Point) | Anschluss für Testzugriff |
TTL (Transistor Transistor Logic) | bipolare Schaltkreisfamilie |
| |
UDS (Drain source voltage) | Spannungsfestigkeit (eines Transistors) |
| |
VHDL (Very High Speed IC Hardware Description Language) | Programmiersprache zur Hardware-Modellierung |
VLSI (Very Large Scale Integration) | Hochintegrierter Schaltkreis |
| |
Wafer | Siliziumscheibe |
| |
Yield | Ausbeute |
| |
ZSA (Zero-slack Algorithm) | Verzögerungs- /
Taktungskriterien erfüllt bei max. Freiheit der Schlupfvariablen |
ZST (Zero-skew Tree) | Taktbaum ohne asymmetrische
Verzögerungen (gleiche Schlupfvariablen) |